Numéro de pièce interne | RO-SBC857ALT1G |
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État | Original New |
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Remplacement | See datasheet |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 650mV @ 5mA, 100mA |
Transistor Type: | PNP |
Package composant fournisseur: | SOT-23-3 (TO-236) |
Séries: | Automotive, AEC-Q101 |
Puissance - Max: | 300mW |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Autres noms: | SBC857ALT1G-ND SBC857ALT1GOSTR |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant: | 36 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition: | 100MHz |
Description détaillée: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 45V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 125 @ 2mA, 5V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 15nA (ICBO) |
Courant - Collecteur (Ic) (max): | 100mA |
Email: | [email protected] |