Numéro de pièce interne | RO-S34MS04G200BHI000 |
---|---|
État | Original New |
Pays d'origine | Contact us |
Top Marking | email us |
Remplacement | See datasheet |
Écrire le temps de cycle - Word, Page: | 45ns |
Tension - Alimentation: | 1.7 V ~ 1.95 V |
La technologie: | FLASH - NAND |
Package composant fournisseur: | 63-BGA (11x9) |
Séries: | MS-2 |
Emballage: | Tray |
Package / Boîte: | 63-VFBGA |
Autres noms: | 1274-1101 S34MS04G200BHI000Z |
Température de fonctionnement: | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 3 (168 Hours) |
Type de mémoire: | Non-Volatile |
Taille mémoire: | 4Gb (512M x 8) |
Interface mémoire: | Parallel |
Format de mémoire: | FLASH |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Description détaillée: | FLASH - NAND Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 45ns 63-BGA (11x9) |
Temps d'accès: | 45ns |
Email: | [email protected] |