S27KS0641DPBHB023
- Modèle de produit:
- S27KS0641DPBHB023
- Fabricant:
- Cypress Semiconductor
- La description:
- IC DRAM 64M PARALLEL 166MHZ
- Statut RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- la quantité en dépôt:
- 68807 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- S27KS0641DPBHB023.pdf
introduction
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Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-S27KS0641DPBHB023 |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page: | - |
| Tension - Alimentation: | 1.7 V ~ 1.95 V |
| La technologie: | DRAM |
| Séries: | Automotive, AEC-Q100, HyperRAM™ KS |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Type de mémoire: | Volatile |
| Taille mémoire: | 64Mb (8M x 8) |
| Interface mémoire: | Parallel |
| Format de mémoire: | DRAM |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 15 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée: | DRAM Memory IC 64Mb (8M x 8) Parallel 166MHz 40ns |
| Fréquence d'horloge: | 166MHz |
| Temps d'accès: | 40ns |
| Email: | [email protected] |
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