Numéro de pièce interne | RO-PHB18NQ10T,118 |
---|---|
État | Original New |
Pays d'origine | Contact us |
Top Marking | email us |
Remplacement | See datasheet |
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
Vgs (Max): | ±20V |
La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | D2PAK |
Séries: | TrenchMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 90 mOhm @ 9A, 10V |
Dissipation de puissance (max): | 79W (Tc) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Autres noms: | 934055699118 PHB18NQ10T /T3 PHB18NQ10T /T3-ND |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 633pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 21nC @ 10V |
type de FET: | N-Channel |
Fonction FET: | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
Tension drain-source (Vdss): | 100V |
Description détaillée: | N-Channel 100V 18A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount D2PAK |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 18A (Tc) |
Email: | [email protected] |