Numéro de pièce interne | RO-PDTA123JT,215 |
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État | Original New |
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Remplacement | See datasheet |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 100mV @ 250µA, 5mA |
Transistor Type: | PNP - Pre-Biased |
Package composant fournisseur: | TO-236AB (SOT23) |
Séries: | - |
Résistance - Base de l'émetteur (R2): | 47 kOhms |
Résistance - Base (R1): | 2.2 kOhms |
Puissance - Max: | 250mW |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Autres noms: | 1727-1692-2 568-11231-2 568-11231-2-ND 934055395215 PDTA123JT T/R PDTA123JT T/R-ND PDTA123JT,215-ND |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Description détaillée: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount TO-236AB (SOT23) |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 100 @ 10mA, 5V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
Courant - Collecteur (Ic) (max): | 100mA |
Numéro de pièce de base: | PDTA123 |
Email: | [email protected] |