NTLJS3A18PZTXG
NTLJS3A18PZTXG
Modèle de produit:
NTLJS3A18PZTXG
Fabricant:
ON Semiconductor
La description:
MOSFET P-CH 20V 8.4A WDFN6
Statut RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
la quantité en dépôt:
35246 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
NTLJS3A18PZTXG.pdf

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-NTLJS3A18PZTXG
État Original New
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Remplacement See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:6-WDFN (2x2)
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:18 mOhm @ 7A, 4.5V
Dissipation de puissance (max):700mW (Ta)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:6-WDFN Exposed Pad
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:2240pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:28nC @ 4.5V
type de FET:P-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):1.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss):20V
Description détaillée:P-Channel 20V 5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:5A (Ta)
Email:[email protected]

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