NTHL110N65S3F
- Modèle de produit:
- NTHL110N65S3F
- Fabricant:
- ON Semiconductor
- La description:
- SUPERFET3 650V TO247 PKG
- la quantité en dépôt:
- 34991 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- NTHL110N65S3F.pdf
introduction
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Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-NTHL110N65S3F |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 3mA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | TO-247-3 |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 110 mOhm @ 15A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 240W (Tc) |
| Package / Boîte: | TO-247-3 |
| Autres noms: | NTHL110N65S3F-ND NTHL110N65S3FOS |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | Not Applicable |
| Statut sans plomb: | Lead free |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 2560pF @ 400V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 58nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 650V |
| Description détaillée: | N-Channel 650V 30A (Tc) 240W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 30A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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