NTHD4N02FT1G
NTHD4N02FT1G
Modèle de produit:
NTHD4N02FT1G
Fabricant:
ON Semiconductor
La description:
MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET
Statut RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
la quantité en dépôt:
32122 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
NTHD4N02FT1G.pdf

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-NTHD4N02FT1G
État Original New
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Top Marking email us
Remplacement See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:1.2V @ 250µA
Vgs (Max):±12V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:ChipFET™
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:80 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Dissipation de puissance (max):910mW (Tj)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-SMD, Flat Lead
Autres noms:NTHD4N02FT1GOS
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:300pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:4nC @ 4.5V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:Schottky Diode (Isolated)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):2.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss):20V
Description détaillée:N-Channel 20V 2.9A (Tj) 910mW (Tj) Surface Mount ChipFET™
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:2.9A (Tj)
Email:[email protected]

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