Numéro de pièce interne | RO-NSVIMD10AMT1G |
---|---|
État | Original New |
Pays d'origine | Contact us |
Top Marking | email us |
Remplacement | See datasheet |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 1mA, 10mA |
Transistor Type: | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Package composant fournisseur: | SC-74R |
Séries: | Automotive, AEC-Q101 |
Résistance - Base de l'émetteur (R2): | 10 kOhms |
Résistance - Base (R1): | 13 kOhms, 130 Ohms |
Puissance - Max: | 285mW |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Autres noms: | NSVIMD10AMT1G-ND NSVIMD10AMT1GOSTR |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition: | - |
Description détaillée: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 500mA 285mW Surface Mount SC-74R |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 500nA |
Courant - Collecteur (Ic) (max): | 500mA |
Email: | [email protected] |