NSM46211DW6T1G
- Modèle de produit:
- NSM46211DW6T1G
- Fabricant:
- ON Semiconductor
- La description:
- TRANS NPN PREBIAS/NPN SOT363
- Statut RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- la quantité en dépôt:
- 80759 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- NSM46211DW6T1G.pdf
introduction
We can supply NSM46211DW6T1G, use the request quote form to request NSM46211DW6T1G pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number NSM46211DW6T1G.The price and lead time for NSM46211DW6T1G depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# NSM46211DW6T1G.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-NSM46211DW6T1G |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 50V, 65V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 250mV @ 300µA, 10mA / 600mV @ 5mA, 100mA |
| Transistor Type: | 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN |
| Package composant fournisseur: | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Séries: | - |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2): | 10 kOhms |
| Résistance - Base (R1): | 10 kOhms |
| Puissance - Max: | 230mW |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition: | - |
| Description détaillée: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 50V, 65V 100mA 230mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 35 @ 5mA, 10V / 200 @ 2mA, 5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 500nA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes NSM46211DW6T1G
Latest Nouvelles
- Onsemi a lancé le premier emballage de péage au monde 650 V en carbure de silicium MOSFET
- Le kit de développement de moteurs d'ON Semiconductor se concentre d'abord sur l'efficacité énergétique
- La plate-forme lidar à temps de vol direct (dToF) de photomultiplicateur au silicium (SiPM) d'ON Semiconductor fournit des conceptions prêtes à l'emploi pour les applications industrielles
- ON Semiconductor et Theta Power Systems International établissent un partenariat pour les applications de contrôle moteur
- ON Semiconductor nomme Hassane El-Khoury au poste de PDG (PDG) successeur