Numéro de pièce interne | RO-NJVMJD44H11T4G-VF01 |
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État | Original New |
Pays d'origine | Contact us |
Top Marking | email us |
Remplacement | See datasheet |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 1V @ 400mA, 8A |
Transistor Type: | NPN |
Package composant fournisseur: | DPAK |
Séries: | - |
Puissance - Max: | 1.75W |
Emballage: | Cut Tape (CT) |
Package / Boîte: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Autres noms: | NJVMJD44H11T4G-VF01OSCT NJVMJD44H11T4GOSCT NJVMJD44H11T4GOSCT-ND |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant: | 25 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition: | 85MHz |
Description détaillée: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 8A 85MHz 1.75W Surface Mount DPAK |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 40 @ 4A, 1V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 1µA |
Courant - Collecteur (Ic) (max): | 8A |
Email: | [email protected] |