NCV5104DR2G
- Modèle de produit:
- NCV5104DR2G
- Fabricant:
- ON Semiconductor
- La description:
- IC MOSFET DRIVER LOW SIDE 8SOIC
- Statut RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- la quantité en dépôt:
- 86862 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- NCV5104DR2G.pdf
introduction
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Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-NCV5104DR2G |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Tension - Alimentation: | 10 V ~ 20 V |
| Package composant fournisseur: | 8-SOIC |
| Séries: | Automotive, AEC-Q100 |
| Rise / Fall Time (Typ): | 85ns, 35ns |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Autres noms: | NCV5104DR2G-ND NCV5104DR2GOSTR |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Nombre de conducteurs: | 2 |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 34 Weeks |
| Tension logique - VIL, VIH: | 0.8V, 2.3V |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Type d'entrée: | Non-Inverting |
| Côté haut potentiel - Max (Bootstrap): | 600V |
| Type de porte: | IGBT, N-Channel MOSFET |
| Configuration pilotée: | Half-Bridge |
| Description détaillée: | Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC |
| Current - Peak Output (Source, Évier): | 250mA, 500mA |
| courant de charge: | Synchronous |
| Email: | [email protected] |
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