MUR2560R
Modèle de produit:
MUR2560R
Fabricant:
GeneSiC Semiconductor
La description:
DIODE GEN PURP REV 600V 25A DO4
Statut RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
la quantité en dépôt:
38347 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
1.MUR2560R.pdf2.MUR2560R.pdf

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-MUR2560R
État Original New
Pays d'origine Contact us
Top Marking email us
Remplacement See datasheet
Tension - Inverse de crête (max):Standard, Reverse Polarity
Tension - directe (Vf) (max) @ Si:25A
Tension - Ventilation:DO-4
Séries:-
État RoHS:Bulk
Temps de recouvrement inverse (trr):Fast Recovery = 200mA (Io)
Résistance @ Si, F:-
Polarisation:DO-203AA, DO-4, Stud
Autres noms:MUR2560RGN
Température d'utilisation - Jonction:90ns
Type de montage:Chassis, Stud Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:10 Weeks
Référence fabricant:MUR2560R
Description élargie:Diode Standard, Reverse Polarity 600V 25A Chassis, Stud Mount DO-4
Configuration diode:10µA @ 50V
La description:DIODE GEN PURP REV 600V 25A DO4
Courant - fuite, inverse à Vr:1.7V @ 25A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode):600V
Capacité à Vr, F:-55°C ~ 150°C
Email:[email protected]

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