Numéro de pièce interne | RO-MT44K32M18RB-107E IT:B |
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État | Original New |
Pays d'origine | Contact us |
Top Marking | email us |
Remplacement | See datasheet |
Écrire le temps de cycle - Word, Page: | - |
Tension - Alimentation: | 1.28 V ~ 1.42 V |
La technologie: | DRAM |
Séries: | - |
Autres noms: | MT44K32M18RB-107E IT:B-ND MT44K32M18RB-107EIT:B |
Température de fonctionnement: | -40°C ~ 95°C (TC) |
Type de mémoire: | Volatile |
Taille mémoire: | 576Mb (32M x 18) |
Interface mémoire: | Parallel |
Format de mémoire: | DRAM |
Description détaillée: | DRAM Memory IC 576Mb (32M x 18) Parallel 933MHz 8ns |
Fréquence d'horloge: | 933MHz |
Temps d'accès: | 8ns |
Email: | [email protected] |