MT41K1G4THD-187E:D
Modèle de produit:
MT41K1G4THD-187E:D
Fabricant:
Micron Technology
La description:
IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
Statut RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
la quantité en dépôt:
68888 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
MT41K1G4THD-187E:D.pdf

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-MT41K1G4THD-187E:D
État Original New
Pays d'origine Contact us
Top Marking email us
Remplacement See datasheet
Écrire le temps de cycle - Word, Page:-
Tension - Alimentation:1.283 V ~ 1.45 V
La technologie:SDRAM - DDR3
Package composant fournisseur:78-FBGA (9x11.5)
Séries:-
Emballage:Tray
Package / Boîte:78-TFBGA
Température de fonctionnement:0°C ~ 95°C (TC)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Type de mémoire:Volatile
Taille mémoire:4Gb (1G x 4)
Interface mémoire:Parallel
Format de mémoire:DRAM
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée:SDRAM - DDR3 Memory IC 4Gb (1G x 4) Parallel 533MHz 13.125ns 78-FBGA (9x11.5)
Fréquence d'horloge:533MHz
Numéro de pièce de base:MT41K1G4
Temps d'accès:13.125ns
Email:[email protected]

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