MMBT6517LT3G
- Modèle de produit:
- MMBT6517LT3G
- Fabricant:
- ON Semiconductor
- La description:
- TRANS NPN 350V 0.1A SOT-23
- Statut RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- la quantité en dépôt:
- 77574 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- MMBT6517LT3G.pdf
introduction
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Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-MMBT6517LT3G |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 350V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 1V @ 5mA, 50mA |
| Transistor Type: | NPN |
| Package composant fournisseur: | SOT-23-3 (TO-236) |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 225mW |
| Emballage: | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Autres noms: | MMBT6517LT3GOSCT |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition: | 200MHz |
| Description détaillée: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 100mA 200MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 20 @ 50mA, 10V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 50nA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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