MJD200G
- Modèle de produit:
- MJD200G
- Fabricant:
- ON Semiconductor
- La description:
- TRANS NPN 25V 5A DPAK
- Statut RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- la quantité en dépôt:
- 55917 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- MJD200G.pdf
introduction
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Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-MJD200G |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 25V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 1.8V @ 1A, 5A |
| Transistor Type: | NPN |
| Package composant fournisseur: | DPAK |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 1.4W |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Autres noms: | MJD200G-ND MJD200GOS |
| Température de fonctionnement: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 2 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition: | 65MHz |
| Description détaillée: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 25V 5A 65MHz 1.4W Surface Mount DPAK |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 45 @ 2A, 1V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 5A |
| Numéro de pièce de base: | MJD200 |
| Email: | [email protected] |
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