Numéro de pièce interne | RO-MBT35200MT1G |
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État | Original New |
Pays d'origine | Contact us |
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Remplacement | See datasheet |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 35V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 310mV @ 20mA, 2A |
Transistor Type: | PNP |
Package composant fournisseur: | 6-TSOP |
Séries: | - |
Puissance - Max: | 625mW |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte: | SOT-23-6 |
Autres noms: | MBT35200MT1GOS MBT35200MT1GOS-ND MBT35200MT1GOSTR |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant: | 25 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition: | 100MHz |
Description détaillée: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 35V 2A 100MHz 625mW Surface Mount 6-TSOP |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 100 @ 1.5A, 1.5V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 100nA |
Courant - Collecteur (Ic) (max): | 2A |
Numéro de pièce de base: | MBT35200 |
Email: | [email protected] |