MBRT200200
- Modèle de produit:
- MBRT200200
- Fabricant:
- GeneSiC Semiconductor
- La description:
- DIODE SCHOTTKY 200V 100A 3 TOWER
- Statut RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- la quantité en dépôt:
- 69866 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- MBRT200200.pdf
introduction
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Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-MBRT200200 |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Tension - Inverse de crête (max): | Schottky |
| Tension - inverse (Vr) (max): | 1 Pair Common Cathode |
| Tension - Ventilation: | Three Tower |
| La vitesse: | 100A |
| Séries: | - |
| État RoHS: | Bulk |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Polarisation: | Three Tower |
| Type de montage: | Chassis Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 4 Weeks |
| Référence fabricant: | MBRT200200 |
| Description élargie: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 200V 100A Chassis Mount Three Tower |
| Configuration diode: | 1mA @ 200V |
| La description: | DIODE SCHOTTKY 200V 100A 3 TOWER |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 920mV @ 100A |
| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode): | 200V |
| Capacité à Vr, F: | -55°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
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