JANTXV2N3811L
- Modèle de produit:
- JANTXV2N3811L
- Fabricant:
- Microsemi
- La description:
- TRANS 2PNP 60V 0.05A
- Statut RoHS:
- Contient du plomb / Non conforme à RoHS
- la quantité en dépôt:
- 79450 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- JANTXV2N3811L.pdf
introduction
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Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-JANTXV2N3811L |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 60V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 250mV @ 100µA, 1mA |
| Transistor Type: | 2 PNP (Dual) |
| Package composant fournisseur: | TO-78-6 |
| Séries: | Military, MIL-PRF-19500/336 |
| Puissance - Max: | 350mW |
| Emballage: | Bulk |
| Package / Boîte: | TO-78-6 Metal Can |
| Autres noms: | 1086-3090 1086-3090-MIL |
| Température de fonctionnement: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Fréquence - Transition: | - |
| Description détaillée: | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 50mA 350mW Through Hole TO-78-6 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 300 @ 1mA, 5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 10µA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 50mA |
| Email: | [email protected] |
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