Numéro de pièce interne | RO-JANTXV2N2919 |
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État | Original New |
Pays d'origine | Contact us |
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Remplacement | See datasheet |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 100µA, 1mA |
Transistor Type: | 2 NPN (Dual) |
Package composant fournisseur: | TO-78-6 |
Séries: | Military, MIL-PRF-19500/355 |
Puissance - Max: | 350mW |
Emballage: | Bulk |
Package / Boîte: | TO-78-6 Metal Can |
Autres noms: | 1086-20763 1086-20763-MIL |
Température de fonctionnement: | 200°C (TJ) |
Type de montage: | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant: | 23 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
Fréquence - Transition: | - |
Description détaillée: | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 60V 30mA 350mW Through Hole TO-78-6 |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 150 @ 1mA, 5V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 10µA (ICBO) |
Courant - Collecteur (Ic) (max): | 30mA |
Email: | [email protected] |