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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - Single > JAN2N5683
JAN2N5683
Modèle de produit:
JAN2N5683
Fabricant:
Microsemi
La description:
TRANS NPN 60V 50A TO-3
Statut RoHS:
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
la quantité en dépôt:
72860 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
JAN2N5683.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-JAN2N5683
État Original New
Pays d'origine Contact us
Top Marking email us
Remplacement See datasheet
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:5V @ 10A, 50A
Transistor Type:NPN
Package composant fournisseur:TO-3 (TO-204AA)
Séries:Military, MIL-PRF-19500/466
Puissance - Max:300W
Emballage:Bulk
Package / Boîte:TO-204AA, TO-3
Autres noms:1086-16167
1086-16167-MIL
Température de fonctionnement:-65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Fréquence - Transition:-
Description détaillée:Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 50A 300W Through Hole TO-3 (TO-204AA)
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:15 @ 25A, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):5µA
Courant - Collecteur (Ic) (max):50A
Email:[email protected]

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