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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - Single > JAN2N3999
JAN2N3999
Modèle de produit:
JAN2N3999
Fabricant:
Microsemi
La description:
TRANS NPN 80V 10A TO59
Statut RoHS:
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
la quantité en dépôt:
84938 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
JAN2N3999.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-JAN2N3999
État Original New
Pays d'origine Contact us
Top Marking email us
Remplacement See datasheet
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:2V @ 500mA, 5A
Transistor Type:NPN
Package composant fournisseur:TO-59
Séries:Military, MIL-PRF-19500/374
Puissance - Max:2W
Emballage:Bulk
Package / Boîte:TO-210AA, TO-59-4, Stud
Autres noms:1086-20952
1086-20952-MIL
Température de fonctionnement:-65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage:Stud Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:22 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Fréquence - Transition:-
Description détaillée:Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 10A 2W Stud Mount TO-59
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:80 @ 1A, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):10µA
Courant - Collecteur (Ic) (max):10A
Email:[email protected]

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