Français
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
À propos de nous | Nous contacter | Demander un devis |
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - Single > JAN1N4245
JAN1N4245
JAN1N4245
Modèle de produit:
JAN1N4245
Fabricant:
Microsemi
La description:
DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
Statut RoHS:
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
la quantité en dépôt:
55092 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
JAN1N4245.pdf
Enquête

introduction

We can supply JAN1N4245, use the request quote form to request JAN1N4245 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number JAN1N4245.The price and lead time for JAN1N4245 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# JAN1N4245.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Spécifications

Numéro de pièce interne RO-JAN1N4245
État Original New
Pays d'origine Contact us
Top Marking email us
Remplacement See datasheet
Tension - Inverse de crête (max):Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si:1A
Séries:Military, MIL-PRF-19500/286
État RoHS:Bulk
Temps de recouvrement inverse (trr):Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Résistance @ Si, F:-
Polarisation:A, Axial
Autres noms:1086-2003
1086-2003-MIL
Température d'utilisation - Jonction:5µs
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:8 Weeks
Référence fabricant:JAN1N4245
Description élargie:Diode Standard 200V 1A Through Hole
Configuration diode:1µA @ 200V
La description:DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
Courant - fuite, inverse à Vr:1.3V @ 3A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode):200V
Capacité à Vr, F:-65°C ~ 175°C
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes

pièces connexes JAN1N4245

image Modèle de produit Fabricant La description Vue
JAN1N4148UB2R Microsemi DIODE GEN PURP 75V 200MA SMD Enquête
JAN1N4370A-1 Microsemi DIODE ZENER 2.4V DO35 Enquête
JAN1N4148UBD Microsemi DIODE GEN PURP 75V 200MA SMD Enquête
JAN1N4370DUR-1 Image JAN1N4370DUR-1 Microsemi DIODE ZENER 2.4V DO213AA Enquête
JAN1N4370C-1 Image JAN1N4370C-1 Microsemi DIODE ZENER 2.4V DO35 Enquête
JAN1N4148UB2 Microsemi DIODE GEN PURP 75V 200MA SMD Enquête
JAN1N4247 Image JAN1N4247 Microsemi DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL Enquête
JAN1N4150UR-1 Image JAN1N4150UR-1 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA Enquête
JAN1N4249 Image JAN1N4249 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL Enquête
JAN1N4246 Image JAN1N4246 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL Enquête
JAN1N4248 Image JAN1N4248 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL Enquête
JAN1N4370AUR-1 Image JAN1N4370AUR-1 Microsemi Corporation DIODE ZENER 2.4V DO213AA Enquête
JAN1N4148UBCC Microsemi DIODE GEN PURP 75V 200MA SMD Enquête
JAN1N4148UR-1 Image JAN1N4148UR-1 Microsemi DIODE GEN PURP 100V 200MA DO213 Enquête
JAN1N4150-1 Image JAN1N4150-1 Microsemi DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 Enquête
JAN1N4148UB Microsemi DIODE GEN PURP 75V 200MA UB Enquête
JAN1N4370CUR-1 Image JAN1N4370CUR-1 Microsemi DIODE ZENER 2.4V DO213AA Enquête
JAN1N4148UBCA Microsemi DIODE GEN PURP 75V 200MA SMD Enquête
JAN1N4153-1 Image JAN1N4153-1 Microsemi DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35 Enquête
JAN1N4370D-1 Image JAN1N4370D-1 Microsemi DIODE ZENER 2.4V DO35 Enquête

Latest Nouvelles