IXYP10N65C3D1M
IXYP10N65C3D1M
Modèle de produit:
IXYP10N65C3D1M
Fabricant:
IXYS Corporation
La description:
IGBT
la quantité en dépôt:
69135 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
IXYP10N65C3D1M.pdf

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-IXYP10N65C3D1M
État Original New
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Top Marking email us
Remplacement See datasheet
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:2.6V @ 15V, 10A
Condition de test:400V, 10A, 50 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:20ns/77ns
énergie de commutation:240µJ (on), 170µJ (off)
Package composant fournisseur:TO-220 Isolated Tab
Séries:XPT™, GenX3™
Temps de recouvrement inverse (trr):26ns
Puissance - Max:53W
Package / Boîte:TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Délai de livraison standard du fabricant:24 Weeks
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:-
gate charge:18nC
Description détaillée:IGBT 650V 15A 53W Through Hole TO-220 Isolated Tab
Courant - Collecteur pulsée (Icm):50A
Courant - Collecteur (Ic) (max):15A
Email:[email protected]

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