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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IXTY50N085T
IXTY50N085T
Modèle de produit:
IXTY50N085T
Fabricant:
IXYS Corporation
La description:
MOSFET N-CH 85V 50A TO-252
Statut RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
la quantité en dépôt:
32089 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
IXTY50N085T.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-IXTY50N085T
État Original New
Pays d'origine Contact us
Top Marking email us
Remplacement See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 25µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-252
Séries:TrenchMV™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:23 mOhm @ 25A, 10V
Dissipation de puissance (max):130W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1460pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:34nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):85V
Description détaillée:N-Channel 85V 50A (Tc) 130W (Tc) Surface Mount TO-252
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

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