Français
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
À propos de nous | Nous contacter | Demander un devis |
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IXFN150N10
IXFN150N10
IXFN150N10
Modèle de produit:
IXFN150N10
Fabricant:
IXYS Corporation
La description:
MOSFET N-CH 100V 150A SOT-227
Statut RoHS:
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
la quantité en dépôt:
63168 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
IXFN150N10.pdf
Enquête

introduction

We can supply IXFN150N10, use the request quote form to request IXFN150N10 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number IXFN150N10.The price and lead time for IXFN150N10 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# IXFN150N10.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Spécifications

Numéro de pièce interne RO-IXFN150N10
État Original New
Pays d'origine Contact us
Top Marking email us
Remplacement See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 8mA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:SOT-227B
Séries:HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:12 mOhm @ 75A, 10V
Dissipation de puissance (max):520W (Tc)
Emballage:Bulk
Package / Boîte:SOT-227-4, miniBLOC
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Chassis Mount
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:9000pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:360nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):100V
Description détaillée:N-Channel 100V 150A (Tc) 520W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:150A (Tc)
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes

pièces connexes IXFN150N10

image Modèle de produit Fabricant La description Vue
IXFN150N65X2 Image IXFN150N65X2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 650V 145A SOT-227 Enquête
IXFN140N25T Image IXFN140N25T IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227 Enquête
IXFN170N30P Image IXFN170N30P IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B Enquête
IXFN140N30P Image IXFN140N30P IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B Enquête
IXFN170N10 Image IXFN170N10 IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 170A SOT-227B Enquête
IXFN140N20P Image IXFN140N20P IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 115A SOT227B Enquête
IXFN120N65X2 Image IXFN120N65X2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 650V 108A SOT-227 Enquête
IXFN130N30 Image IXFN130N30 IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B Enquête
IXFN180N10 Image IXFN180N10 IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B Enquête
IXFN180N15P Image IXFN180N15P IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B Enquête
IXFN170N65X2 Image IXFN170N65X2 IXYS Corporation MOSFET N-CH Enquête
IXFN150N15 Image IXFN150N15 IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227 Enquête
IXFN110N85X Image IXFN110N85X IXYS Corporation MOSFET N-CH 850V 110A SOT227B Enquête
IXFN110N60P3 Image IXFN110N60P3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 90A SOT227 Enquête
IXFN120N20 Image IXFN120N20 IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B Enquête
IXFN120N25 Image IXFN120N25 IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227B Enquête
IXFN160N30T Image IXFN160N30T IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 130A SOT227 Enquête
IXFN170N25X3 Image IXFN170N25X3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 170A SOT227B Enquête
IXFN180N07 Image IXFN180N07 IXYS Corporation MOSFET N-CH 70V 180A SOT-227B Enquête
IXFN132N50P3 Image IXFN132N50P3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 112A SOT227 Enquête

Latest Nouvelles