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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IXFK120N30P3
IXFK120N30P3
IXFK120N30P3
Modèle de produit:
IXFK120N30P3
Fabricant:
IXYS Corporation
La description:
MOSFET N-CH 300V 120A TO-264
Statut RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
la quantité en dépôt:
52999 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
IXFK120N30P3.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-IXFK120N30P3
État Original New
Pays d'origine Contact us
Top Marking email us
Remplacement See datasheet
Tension - Test:8630pF @ 25V
Tension - Ventilation:TO-264AA (IXFK)
Vgs (th) (Max) @ Id:27 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (Max):10V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Séries:HiPerFET™, Polar3™
État RoHS:Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs:120A (Tc)
Polarisation:TO-264-3, TO-264AA
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:12 Weeks
Référence fabricant:IXFK120N30P3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:150nC @ 10V
type de IGBT:±20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:5V @ 4mA
Fonction FET:N-Channel
Description élargie:N-Channel 300V 120A (Tc) 1130W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Tension drain-source (Vdss):-
La description:MOSFET N-CH 300V 120A TO-264
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:300V
Ratio de capacité:1130W (Tc)
Email:[email protected]

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