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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Modules > IXBN75N170A
IXBN75N170A
Modèle de produit:
IXBN75N170A
Fabricant:
IXYS Corporation
La description:
IC TRANS BIPO 1700V SOT-227
Statut RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
la quantité en dépôt:
62251 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
IXBN75N170A.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-IXBN75N170A
État Original New
Pays d'origine Contact us
Top Marking email us
Remplacement See datasheet
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):1700V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:6V @ 15V, 42A
Package composant fournisseur:SOT-227B
Séries:BIMOSFET™
Puissance - Max:625W
Package / Boîte:SOT-227-4, miniBLOC
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
NTC thermistance:No
Type de montage:Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:24 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:7.4nF @ 25V
Contribution:Standard
type de IGBT:-
Description détaillée:IGBT Module Single 1700V 75A 625W Chassis Mount SOT-227B
Courant - Collecteur Cutoff (Max):50µA
Courant - Collecteur (Ic) (max):75A
Configuration:Single
Numéro de pièce de base:IXB*75N170
Email:[email protected]

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