Numéro de pièce interne | RO-IRF6603 |
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État | Original New |
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Remplacement | See datasheet |
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
Vgs (Max): | +20V, -12V |
La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | DIRECTFET™ MT |
Séries: | HEXFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 3.4 mOhm @ 25A, 10V |
Dissipation de puissance (max): | 3.6W (Ta), 42W (Tc) |
Emballage: | Cut Tape (CT) |
Package / Boîte: | DirectFET™ Isometric MT |
Autres noms: | *IRF6603 IRF6603CT |
Température de fonctionnement: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 3 (168 Hours) |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 6590pF @ 15V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 72nC @ 4.5V |
type de FET: | N-Channel |
Fonction FET: | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 4.5V, 10V |
Tension drain-source (Vdss): | 30V |
Description détaillée: | N-Channel 30V 27A (Ta), 92A (Tc) 3.6W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 27A (Ta), 92A (Tc) |
Email: | [email protected] |