Numéro de pièce interne | RO-IDT70P3307S250RM |
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État | Original New |
Pays d'origine | Contact us |
Top Marking | email us |
Remplacement | See datasheet |
Écrire le temps de cycle - Word, Page: | - |
Tension - Alimentation: | 1.7 V ~ 1.9 V |
La technologie: | SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II |
Package composant fournisseur: | 576-FCBGA (25x25) |
Séries: | - |
Emballage: | Tray |
Package / Boîte: | 576-BBGA, FCBGA |
Autres noms: | 70P3307S250RM |
Température de fonctionnement: | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 4 (72 Hours) |
Type de mémoire: | Volatile |
Taille mémoire: | 18Mb (1M x 18) |
Interface mémoire: | Parallel |
Format de mémoire: | SRAM |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
Description détaillée: | SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II Memory IC 18Mb (1M x 18) Parallel 250MHz 6.3ns 576-FCBGA (25x25) |
Fréquence d'horloge: | 250MHz |
Numéro de pièce de base: | IDT70P3307 |
Temps d'accès: | 6.3ns |
Email: | [email protected] |