HTMN5130SSD-13
- Modèle de produit:
- HTMN5130SSD-13
- Fabricant:
- Diodes Incorporated
- La description:
- MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC
- Statut RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- la quantité en dépôt:
- 82024 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- HTMN5130SSD-13.pdf
introduction
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Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-HTMN5130SSD-13 |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
| Package composant fournisseur: | 8-SO |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 130 mOhm @ 3A, 10V |
| Puissance - Max: | 1.7W |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Autres noms: | HTMN5130SSD-13DI HTMN5130SSD-13DI-ND HTMN5130SSD-13DITR |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 32 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 218.7pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 8.9nC @ 10V |
| type de FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Fonction FET: | Standard |
| Tension drain-source (Vdss): | 55V |
| Description détaillée: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 2.6A 1.7W Surface Mount 8-SO |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 2.6A |
| Email: | [email protected] |
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