GP2D010A120C
GP2D010A120C
Modèle de produit:
GP2D010A120C
Fabricant:
Global Power Technologies Group
La description:
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252-2
Statut RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
la quantité en dépôt:
70296 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
GP2D010A120C.pdf

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-GP2D010A120C
État Original New
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Remplacement See datasheet
Tension - Inverse de crête (max):Silicon Carbide Schottky
Tension - directe (Vf) (max) @ Si:10A (DC)
Tension - Ventilation:TO-252-2L (DPAK)
Séries:Amp+™
État RoHS:Tube
Temps de recouvrement inverse (trr):No Recovery Time > 500mA (Io)
Résistance @ Si, F:635pF @ 1V, 1MHz
Polarisation:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms:1560-1045-5
Température d'utilisation - Jonction:0ns
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:4 Weeks
Référence fabricant:GP2D010A120C
Description élargie:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 10A (DC) Surface Mount TO-252-2L (DPAK)
Configuration diode:20µA @ 1200V
La description:DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252-2
Courant - fuite, inverse à Vr:1.8V @ 10A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode):1200V (1.2kV)
Capacité à Vr, F:-55°C ~ 175°C
Email:[email protected]

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