GKN26/12
- Modèle de produit:
- GKN26/12
- Fabricant:
- GeneSiC Semiconductor
- La description:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DO4
- Statut RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- la quantité en dépôt:
- 32955 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- 1.GKN26/12.pdf2.GKN26/12.pdf
introduction
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Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-GKN26/12 |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Tension - Inverse de crête (max): | Standard |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 25A |
| Tension - Ventilation: | DO-4 |
| Séries: | - |
| État RoHS: | Bulk |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Résistance @ Si, F: | - |
| Polarisation: | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Autres noms: | GKN26/12GN GKN2612 |
| Type de montage: | Chassis, Stud Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 10 Weeks |
| Référence fabricant: | GKN26/12 |
| Description élargie: | Diode Standard 1200V (1.2kV) 25A Chassis, Stud Mount DO-4 |
| Configuration diode: | 4mA @ 1200V |
| La description: | DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DO4 |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 1.55V @ 60A |
| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode): | 1200V (1.2kV) |
| Capacité à Vr, F: | -40°C ~ 180°C |
| Email: | [email protected] |
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