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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - Single > GDP30P120B
GDP30P120B
GDP30P120B
Modèle de produit:
GDP30P120B
Fabricant:
Global Power Technologies Group
La description:
DIODE SCHOTTKY 1200V 81A TO247-2
Statut RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
la quantité en dépôt:
49076 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
GDP30P120B.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-GDP30P120B
État Original New
Pays d'origine Contact us
Top Marking email us
Remplacement See datasheet
Tension - Inverse de crête (max):Silicon Carbide Schottky
Tension - directe (Vf) (max) @ Si:81A
Tension - Ventilation:TO-247-2
Séries:Amp+™
État RoHS:Tube
Temps de recouvrement inverse (trr):No Recovery Time > 500mA (Io)
Résistance @ Si, F:1790pF @ 1V, 1MHz
Polarisation:TO-247-2
Autres noms:1560-1024-5
Température d'utilisation - Jonction:0ns
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:GDP30P120B
Description élargie:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 81A Through Hole TO-247-2
Configuration diode:100µA @ 1200V
La description:DIODE SCHOTTKY 1200V 81A TO247-2
Courant - fuite, inverse à Vr:1.7V @ 30A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode):1200V (1.2kV)
Capacité à Vr, F:-55°C ~ 135°C
Email:[email protected]

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