FQP10N20C
- Modèle de produit:
- FQP10N20C
- Fabricant:
- Fairchild/ON Semiconductor
- La description:
- MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220
- Statut RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- la quantité en dépôt:
- 62557 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- 1.FQP10N20C.pdf2.FQP10N20C.pdf
introduction
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Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-FQP10N20C |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Tension - Test: | 510pF @ 25V |
| Tension - Ventilation: | TO-220-3 |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 360 mOhm @ 4.75A, 10V |
| Vgs (Max): | 10V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Séries: | QFET® |
| État RoHS: | Tube |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 9.5A (Tc) |
| Polarisation: | TO-220-3 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 6 Weeks |
| Référence fabricant: | FQP10N20C |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 26nC @ 10V |
| type de IGBT: | ±30V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 4V @ 250µA |
| Fonction FET: | N-Channel |
| Description élargie: | N-Channel 200V 9.5A (Tc) 72W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
| Tension drain-source (Vdss): | - |
| La description: | MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 200V |
| Ratio de capacité: | 72W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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