FP7G50US60
FP7G50US60
Modèle de produit:
FP7G50US60
Fabricant:
ON Semiconductor
La description:
MODULE IGBT 600V 50A EPM7
Statut RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
la quantité en dépôt:
85547 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
FP7G50US60.pdf

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-FP7G50US60
État Original New
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Top Marking email us
Remplacement See datasheet
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:2.8V @ 15V, 50A
Package composant fournisseur:EPM7
Séries:Power-SPM™
Puissance - Max:250W
Package / Boîte:EPM7
Température de fonctionnement:-40°C ~ 125°C (TJ)
NTC thermistance:No
Type de montage:Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:2.92nF @ 30V
Contribution:Standard
type de IGBT:-
Description détaillée:IGBT Module Half Bridge 600V 50A 250W Chassis Mount EPM7
Courant - Collecteur Cutoff (Max):250µA
Courant - Collecteur (Ic) (max):50A
Configuration:Half Bridge
Email:[email protected]

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