Numéro de pièce interne | RO-FJN3315RTA |
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État | Original New |
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Remplacement | See datasheet |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 500µA, 10mA |
Transistor Type: | NPN - Pre-Biased |
Package composant fournisseur: | TO-92-3 |
Séries: | - |
Résistance - Base de l'émetteur (R2): | 10 kOhms |
Résistance - Base (R1): | 2.2 kOhms |
Puissance - Max: | 300mW |
Emballage: | Tape & Box (TB) |
Package / Boîte: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Type de montage: | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition: | 250MHz |
Description détaillée: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92-3 |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 33 @ 10mA, 5V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
Courant - Collecteur (Ic) (max): | 100mA |
Email: | [email protected] |