FFSH3065B-F085
- Modèle de produit:
- FFSH3065B-F085
- Fabricant:
- ON Semiconductor
- La description:
- 650V 30A SIC SBD GEN1.5
- la quantité en dépôt:
- 40679 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- FFSH3065B-F085.pdf
introduction
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Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-FFSH3065B-F085 |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 1.7V @ 30A |
| Tension - inverse (Vr) (max): | 650V |
| Package composant fournisseur: | TO-247-2 |
| La vitesse: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Séries: | Automotive, AEC-Q101 |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | 0ns |
| Package / Boîte: | TO-247-2 |
| Température d'utilisation - Jonction: | -55°C ~ 175°C |
| Type de montage: | Through Hole |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 39 Weeks |
| Type de diode: | Silicon Carbide Schottky |
| Description détaillée: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 37A (DC) Through Hole TO-247-2 |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 40µA @ 650V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io): | 37A (DC) |
| Capacité à Vr, F: | 1260pF @ 1V, 100kHz |
| Email: | [email protected] |
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