Numéro de pièce interne | RO-FF200R12KT3EHOSA1 |
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État | Original New |
Pays d'origine | Contact us |
Top Marking | email us |
Remplacement | See datasheet |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 1200V |
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic: | 2.15V @ 15V, 200A |
Package composant fournisseur: | Module |
Séries: | - |
Puissance - Max: | 1050W |
Package / Boîte: | Module |
Autres noms: | FF200R12KT3_E FF200R12KT3_E-ND SP000314729 |
Température de fonctionnement: | -40°C ~ 125°C |
NTC thermistance: | No |
Type de montage: | Chassis Mount |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce: | 14nF @ 25V |
Contribution: | Standard |
type de IGBT: | - |
Description détaillée: | IGBT Module 2 Independent 1200V 1050W Chassis Mount Module |
Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 5mA |
Configuration: | 2 Independent |
Email: | [email protected] |