Français
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
À propos de nous | Nous contacter | Demander un devis |
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > EPC2032ENGR
EPC2032ENGR
EPC2032ENGR
Modèle de produit:
EPC2032ENGR
Fabricant:
EPC
La description:
TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
Statut RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
la quantité en dépôt:
85297 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
EPC2032ENGR.pdf
Enquête

introduction

We can supply EPC2032ENGR, use the request quote form to request EPC2032ENGR pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number EPC2032ENGR.The price and lead time for EPC2032ENGR depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# EPC2032ENGR.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Spécifications

Numéro de pièce interne RO-EPC2032ENGR
État Original New
Pays d'origine Contact us
Top Marking email us
Remplacement See datasheet
Tension - Test:1530pF @ 50V
Tension - Ventilation:Die
Vgs (th) (Max) @ Id:4 mOhm @ 30A, 5V
La technologie:GaNFET (Gallium Nitride)
Séries:eGaN®
État RoHS:Tray
Rds On (Max) @ Id, Vgs:48A (Ta)
Polarisation:Die
Autres noms:917-EPC2032ENGR
Température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:EPC2032ENGR
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:15nC @ 5V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:2.5V @ 11mA
Fonction FET:N-Channel
Description élargie:N-Channel 100V 48A (Ta) Surface Mount Die
Tension drain-source (Vdss):-
La description:TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:100V
Ratio de capacité:-
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes

pièces connexes EPC2032ENGR

image Modèle de produit Fabricant La description Vue
EPC2036ENGRT Image EPC2036ENGRT EPC MOSFET N-CH 100V 1.7A DIE Enquête
EPC2031 Image EPC2031 EPC MOSFET NCH 60V 31A DIE Enquête
EPC2031ENGRT Image EPC2031ENGRT EPC MOSFET NCH 60V 31A DIE Enquête
EPC2034ENGRT Image EPC2034ENGRT EPC TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE Enquête
EPC2036 Image EPC2036 EPC TRANS GAN 100V 1A BUMPED DIE Enquête
EPC2034ENGR Image EPC2034ENGR EPC TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE Enquête
EPC2033 Image EPC2033 EPC TRANS GAN 150V 7MOHM BUMPED DIE Enquête
EPC2030 Image EPC2030 EPC MOSFET NCH 40V 31A DIE Enquête
EPC2033ENGRT Image EPC2033ENGRT EPC TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE Enquête
EPC2034 Image EPC2034 EPC TRANS GAN 200V 48A BUMPED DIE Enquête
EPC2029 Image EPC2029 EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE Enquête
EPC2033ENGR Image EPC2033ENGR EPC TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE Enquête
EPC2031ENGR Image EPC2031ENGR EPC TRANS GAN 60V 31A BUMPED DIE Enquête
EPC2032 Image EPC2032 EPC TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE Enquête
EPC2029ENGRT Image EPC2029ENGRT EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE Enquête
EPC2032ENGRT Image EPC2032ENGRT EPC TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE Enquête
EPC2030ENGRT Image EPC2030ENGRT EPC MOSFET NCH 40V 31A DIE Enquête
EPC2035 Image EPC2035 EPC TRANS GAN 60V 1A BUMPED DIE Enquête
EPC2029ENGR Image EPC2029ENGR EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE Enquête
EPC2030ENGR Image EPC2030ENGR EPC TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE Enquête

Latest Nouvelles