DTC114YUBHZGTL
- Modèle de produit:
- DTC114YUBHZGTL
- Fabricant:
- LAPIS Semiconductor
- La description:
- NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI
- Statut RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- la quantité en dépôt:
- 80105 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- 1.DTC114YUBHZGTL.pdf2.DTC114YUBHZGTL.pdf
introduction
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Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-DTC114YUBHZGTL |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Transistor Type: | NPN - Pre-Biased + Diode |
| Package composant fournisseur: | UMT3F |
| Séries: | Automotive, AEC-Q101 |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2): | 47 kOhms |
| Résistance - Base (R1): | 10 kOhms |
| Puissance - Max: | 200mW |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | SC-85 |
| Autres noms: | DTC114YUBHZGTLTR |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 7 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition: | 250MHz |
| Description détaillée: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3F |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 68 @ 5mA, 5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | - |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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