DS1250AB-100IND
- Modèle de produit:
- DS1250AB-100IND
- Fabricant:
- Maxim Integrated
- La description:
- IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP
- Statut RoHS:
- Contient du plomb / Non conforme à RoHS
- la quantité en dépôt:
- 60834 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- DS1250AB-100IND.pdf
introduction
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Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-DS1250AB-100IND |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page: | 100ns |
| Tension - Alimentation: | 4.75 V ~ 5.25 V |
| La technologie: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Package composant fournisseur: | 32-EDIP |
| Séries: | - |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Type de mémoire: | Non-Volatile |
| Taille mémoire: | 4Mb (512K x 8) |
| Interface mémoire: | Parallel |
| Format de mémoire: | NVSRAM |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Description détaillée: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 4Mb (512K x 8) Parallel 100ns 32-EDIP |
| Numéro de pièce de base: | DS1250AB |
| Temps d'accès: | 100ns |
| Email: | [email protected] |
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