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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > DRA5144V0L
DRA5144V0L
DRA5144V0L
Modèle de produit:
DRA5144V0L
Fabricant:
Panasonic
La description:
TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3
Statut RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
la quantité en dépôt:
43190 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
DRA5144V0L.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-DRA5144V0L
État Original New
Pays d'origine Contact us
Top Marking email us
Remplacement See datasheet
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type:PNP - Pre-Biased
Package composant fournisseur:SMini3-F2-B
Séries:-
Résistance - Base de l'émetteur (R2):10 kOhms
Résistance - Base (R1):47 kOhms
Puissance - Max:150mW
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:SC-85
Autres noms:DRA5144V0LCT
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:11 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount SMini3-F2-B
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:30 @ 5mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max):100mA
Numéro de pièce de base:DRA5144
Email:[email protected]

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