CS8312YN8
Modèle de produit:
CS8312YN8
Fabricant:
ON Semiconductor
La description:
IC PREDRIVER IGBT IGNITION 8DIP
Statut RoHS:
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
la quantité en dépôt:
80195 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
CS8312YN8.pdf

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-CS8312YN8
État Original New
Pays d'origine Contact us
Top Marking email us
Remplacement See datasheet
Tension - Alimentation:7 V ~ 10 V
Package composant fournisseur:8-PDIP
Séries:-
Rise / Fall Time (Typ):-
Emballage:Tube
Package / Boîte:8-DIP (0.300", 7.62mm)
Autres noms:CS8312YN8OS
Température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Nombre de conducteurs:1
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Tension logique - VIL, VIH:-
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Type d'entrée:Non-Inverting
Type de porte:IGBT, N-Channel MOSFET
Configuration pilotée:Low-Side
Description détaillée:Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-PDIP
Current - Peak Output (Source, Évier):-
courant de charge:Single
Numéro de pièce de base:CS8312
Email:[email protected]

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