BD237G
BD237G
Modèle de produit:
BD237G
Fabricant:
ON Semiconductor
La description:
TRANS NPN 80V 2A TO-225
Statut RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
la quantité en dépôt:
61708 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
BD237G.pdf

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-BD237G
État Original New
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Top Marking email us
Remplacement See datasheet
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:600mV @ 100mA, 1A
Transistor Type:NPN
Package composant fournisseur:TO-225AA
Séries:-
Puissance - Max:25W
Emballage:Bulk
Package / Boîte:TO-225AA, TO-126-3
Autres noms:BD237G-ND
BD237GOS
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:2 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:3MHz
Description détaillée:Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 2A 3MHz 25W Through Hole TO-225AA
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:25 @ 1A, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):100µA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max):2A
Numéro de pièce de base:BD237
Email:[email protected]

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