Numéro de pièce interne | RO-BD237G |
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État | Original New |
Pays d'origine | Contact us |
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Remplacement | See datasheet |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 600mV @ 100mA, 1A |
Transistor Type: | NPN |
Package composant fournisseur: | TO-225AA |
Séries: | - |
Puissance - Max: | 25W |
Emballage: | Bulk |
Package / Boîte: | TO-225AA, TO-126-3 |
Autres noms: | BD237G-ND BD237GOS |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant: | 2 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition: | 3MHz |
Description détaillée: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 2A 3MHz 25W Through Hole TO-225AA |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 25 @ 1A, 2V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 100µA (ICBO) |
Courant - Collecteur (Ic) (max): | 2A |
Numéro de pièce de base: | BD237 |
Email: | [email protected] |