APTGLQ25H120T1G
- Modèle de produit:
- APTGLQ25H120T1G
- Fabricant:
- Microsemi
- La description:
- POWER MODULE - IGBT
- Statut RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- la quantité en dépôt:
- 70374 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- APTGLQ25H120T1G.pdf
introduction
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Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-APTGLQ25H120T1G |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 1200V |
| Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic: | 2.42V @ 15V, 25A |
| Package composant fournisseur: | SP1 |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 165W |
| Package / Boîte: | Module |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| NTC thermistance: | Yes |
| Type de montage: | Chassis Mount |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Cies) @ Vce: | 1.43nF @ 25V |
| Contribution: | Standard |
| type de IGBT: | Trench Field Stop |
| Description détaillée: | IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge 1200V 50A 165W Chassis Mount SP1 |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 50µA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 50A |
| Configuration: | Full Bridge |
| Email: | [email protected] |
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