Français
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
À propos de nous | Nous contacter | Demander un devis |
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Single > APT75GN120B2G
APT75GN120B2G
APT75GN120B2G
Modèle de produit:
APT75GN120B2G
Fabricant:
Microsemi
La description:
IGBT 1200V 200A 833W TMAX
Statut RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
la quantité en dépôt:
86939 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
1.APT75GN120B2G.pdf2.APT75GN120B2G.pdf
Enquête

introduction

We can supply APT75GN120B2G, use the request quote form to request APT75GN120B2G pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APT75GN120B2G.The price and lead time for APT75GN120B2G depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APT75GN120B2G.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Spécifications

Numéro de pièce interne RO-APT75GN120B2G
État Original New
Pays d'origine Contact us
Top Marking email us
Remplacement See datasheet
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:2.1V @ 15V, 75A
Condition de test:800V, 75A, 1 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:60ns/620ns
énergie de commutation:8045µJ (on), 7640µJ (off)
Séries:-
Puissance - Max:833W
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-247-3 Variant
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:Trench Field Stop
gate charge:425nC
Description détaillée:IGBT Trench Field Stop 1200V 200A 833W Through Hole
Courant - Collecteur pulsée (Icm):225A
Courant - Collecteur (Ic) (max):200A
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes

pièces connexes APT75GN120B2G

image Modèle de produit Fabricant La description Vue
APT75GN60BG Image APT75GN60BG Microsemi IGBT 600V 155A 536W TO247 Enquête
APT75F50L Image APT75F50L Microsemi MOSFET N-CH 500V 75A TO-264 Enquête
APT75GN60LDQ3G Image APT75GN60LDQ3G Microsemi IGBT 600V 155A 536W TO264 Enquête
APT75GN120J Image APT75GN120J Microsemi IGBT 1200V 124A 379W SOT227 Enquête
APT75DQ60BG Image APT75DQ60BG Microsemi DIODE GEN PURP 600V 75A TO247 Enquête
APT75DL60HJ Image APT75DL60HJ Microsemi MOD DIODE 600V SOT-227 Enquête
APT70SM70S Microsemi POWER MOSFET - SIC Enquête
APT75GP120B2G Image APT75GP120B2G Microsemi IGBT 1200V 100A 1042W TMAX Enquête
APT75DF170HJ Image APT75DF170HJ Microsemi MOD DIODE 1700V SOT-227 Enquête
APT75GP120JDQ3 Image APT75GP120JDQ3 Microsemi IGBT 1200V 128A 543W SOT227 Enquête
APT75DQ100BG Image APT75DQ100BG Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1KV 75A TO247 Enquête
APT75GP120J Image APT75GP120J Microsemi IGBT 1200V 128A 543W SOT227 Enquête
APT75GN60B2DQ3G Image APT75GN60B2DQ3G Microsemi IGBT 600V 155A 536W TO264 Enquête
APT75F50B2 Image APT75F50B2 Microsemi MOSFET N-CH 500V 75A TO-247 Enquête
APT70SM70J Microsemi POWER MOSFET - SIC Enquête
APT75DL120HJ Image APT75DL120HJ Microsemi MOD DIODE 1200V SOT-227 Enquête
APT75GN120JDQ3 Image APT75GN120JDQ3 Microsemi IGBT 1200V 124A 379W SOT227 Enquête
APT75GN120JDQ3G Image APT75GN120JDQ3G Microsemi IGBT 1200V 124A 379W SOT227 Enquête
APT75DQ120BG Image APT75DQ120BG Microsemi DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247 Enquête
APT75GN120LG Image APT75GN120LG Microsemi IGBT 1200V 200A 833W TO264 Enquête

Latest Nouvelles