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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Single > APT25GP90BG
APT25GP90BG
APT25GP90BG
Modèle de produit:
APT25GP90BG
Fabricant:
Microsemi
La description:
IGBT 900V 72A 417W TO247
Statut RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
la quantité en dépôt:
76954 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
APT25GP90BG.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-APT25GP90BG
État Original New
Pays d'origine Contact us
Top Marking email us
Remplacement See datasheet
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):900V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:3.9V @ 15V, 25A
Condition de test:600V, 25A, 5 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:13ns/55ns
énergie de commutation:370µJ (off)
Package composant fournisseur:TO-247 [B]
Séries:POWER MOS 7®
Puissance - Max:417W
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-247-3
Autres noms:APT25GP90BGMI
APT25GP90BGMI-ND
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:PT
gate charge:110nC
Description détaillée:IGBT PT 900V 72A 417W Through Hole TO-247 [B]
Courant - Collecteur pulsée (Icm):110A
Courant - Collecteur (Ic) (max):72A
Email:[email protected]

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