Numéro de pièce interne | RO-2SD2695,T6F(M |
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État | Original New |
Pays d'origine | Contact us |
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Remplacement | See datasheet |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 1.5V @ 1mA, 1A |
Transistor Type: | NPN |
Package composant fournisseur: | TO-92MOD |
Séries: | - |
Puissance - Max: | 900mW |
Emballage: | Bulk |
Package / Boîte: | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
Autres noms: | 2SD2695T6F(M 2SD2695T6FM |
Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
Type de montage: | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition: | 100MHz |
Description détaillée: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 2A 100MHz 900mW Through Hole TO-92MOD |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 2000 @ 1A, 2V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 10µA (ICBO) |
Courant - Collecteur (Ic) (max): | 2A |
Email: | [email protected] |